SSM6N15AFU,LF
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| Teilenummer | SSM6N15AFU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6N15AFU-LF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 115.080 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6N15AFU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6N15AFU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SSM6N15AFU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 16V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
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