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SSD2009ATF

SSD2009ATF

Nur als Referenz

Teilenummer SSD2009ATF
PNEDA Teilenummer SSD2009ATF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.716
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SSD2009ATF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSD2009ATF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SSD2009ATF, SSD2009ATF Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 183,03 KB)
PDFSSD2009ATF Datenblatt Cover
SSD2009ATF Datenblatt Seite 2 SSD2009ATF Datenblatt Seite 3 SSD2009ATF Datenblatt Seite 4 SSD2009ATF Datenblatt Seite 5

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SSD2009ATF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

552mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

Leistung - max

357W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

UPA2670T1R-E2-AX

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

79mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

473pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-HUSON (2x2)

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N Channel (Phase Leg)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

295A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

644nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 1000V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FDMA2002NZ_F130

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

123mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Leistung - max

650mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

DMN2041UFDB-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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