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SSM6L14FE(TE85L,F)

SSM6L14FE(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6L14FE(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer SSM6L14FE-TE85L-F
Beschreibung X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 82.050
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSM6L14FE(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6L14FE(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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SSM6L14FE(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate, 1.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.800mA (Ta), 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC, 1.76nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds90pF, 110pF @ 10V
Leistung - max150mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketES6

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Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFLGA

Lieferantengerätepaket

4-Picostar (1.31x1.31)

DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14.1pF @ 15V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-963

Lieferantengerätepaket

SOT-963

IRF7389

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

DMC2710UV-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1366pF @ 16V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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