CSD85302L
Nur als Referenz
| Teilenummer | CSD85302L | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CSD85302L | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 5A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 44.002 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CSD85302L Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD85302L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD85302L Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-XFLGA |
| Lieferantengerätepaket | 4-Picostar (1.31x1.31) |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta), 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V, 25nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563F |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
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