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SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA778DJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA778DJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 8.892
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SIA778DJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA778DJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA778DJ-T1-GE3, SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 153,18 KB)
PDFSIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SIA778DJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V, 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 6V
Leistung - max6.5W, 5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

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FET-Typ

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Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

CAS300M12BM2

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Cree/Wolfspeed

Serie

Z-FET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

423A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1025nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11700pF @ 600V

Leistung - max

1660W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module, Screw Terminals

Lieferantengerätepaket

Module

FC6946010R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F3-B

EFC6617R-A-TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.3mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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