IRF7311PBF
Nur als Referenz
Teilenummer | IRF7311PBF |
PNEDA Teilenummer | IRF7311PBF |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.408 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Jan 14 - Jan 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRF7311PBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRF7311PBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRF7311PBF Datasheet
- where to find IRF7311PBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF7311PBF
- IRF7311PBF PDF Datasheet
- IRF7311PBF Stock
- IRF7311PBF Pinout
- Datasheet IRF7311PBF
- IRF7311PBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF7311PBF Price
- IRF7311PBF Distributor
IRF7311PBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Leistung - max | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™ |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 9µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V Leistung - max 29W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-10 |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Leistung - max 490mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-HUSON-EP (2x2) |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 10V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 18-WFBGA Lieferantengerätepaket 18-BGA (2.5x4) |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |