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IRF7311PBF

IRF7311PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7311PBF
PNEDA Teilenummer IRF7311PBF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.408
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Voraussichtliche Lieferung Jan 14 - Jan 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRF7311PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7311PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRF7311PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 9µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Leistung - max

29W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta), 3.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Leistung - max

490mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

Leistung - max

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