APTC90DDA12T1G
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| Teilenummer | APTC90DDA12T1G |
| PNEDA Teilenummer | APTC90DDA12T1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTC90DDA12T1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTC90DDA12T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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APTC90DDA12T1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Leistung - max | 250W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.98A, 3.36A Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V Leistung - max 870mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
