ZXMHC3F381N8TC
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| Teilenummer | ZXMHC3F381N8TC |
| PNEDA Teilenummer | ZXMHC3F381N8TC |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 385.818 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMHC3F381N8TC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMHC3F381N8TC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMHC3F381N8TC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.98A, 3.36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
| Leistung - max | 870mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.2A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V Leistung - max 18W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220-5 Full-Pak |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
