Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMHC3F381N8TC
PNEDA Teilenummer ZXMHC3F381N8TC
Beschreibung MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 385.818
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMHC3F381N8TC Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMHC3F381N8TC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMHC3F381N8TC, ZXMHC3F381N8TC Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 732,75 KB)
PDFZXMHC3F381N8TC Datenblatt Cover
ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 2 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 3 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 4 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 5 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 6 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 7 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 8 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 9 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 10 ZXMHC3F381N8TC Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ZXMHC3F381N8TC Datasheet
  • where to find ZXMHC3F381N8TC
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC
  • ZXMHC3F381N8TC PDF Datasheet
  • ZXMHC3F381N8TC Stock

  • ZXMHC3F381N8TC Pinout
  • Datasheet ZXMHC3F381N8TC
  • ZXMHC3F381N8TC Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZXMHC3F381N8TC Price
  • ZXMHC3F381N8TC Distributor

ZXMHC3F381N8TC Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.98A, 3.36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 15V
Leistung - max870mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4933DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

EFC2J003NUZTCG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BUK9K45-100E,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2152pF @ 25V

Leistung - max

53W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

IRF7307PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SH8K25GZ0TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V

Leistung - max

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Kürzlich verkauft

MIC2026-1YM-TR

MIC2026-1YM-TR

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

MIC47100YMME

MIC47100YMME

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

ERJ-M1WSJ15MU

ERJ-M1WSJ15MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

0CNL200.V

0CNL200.V

Littelfuse

FUSE STRIP 200A 32VAC/VDC BOLT

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

CNY17F-2

CNY17F-2

Everlight Electronics Co Ltd

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

NC7WZ132K8X

NC7WZ132K8X

ON Semiconductor

IC GATE NAND SCHMITT 2CH US8

ADE7754ARZRL

ADE7754ARZRL

Analog Devices

IC ENERGY METERING 3PHASE 24SOIC

CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

T491B106K025AT

T491B106K025AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 25V 1411