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FDS6984AS

FDS6984AS

Nur als Referenz

Teilenummer FDS6984AS
PNEDA Teilenummer FDS6984AS
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.210
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDS6984AS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS6984AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS6984AS, FDS6984AS Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 511,17 KB)
PDFFDS6984AS Datenblatt Cover
FDS6984AS Datenblatt Seite 2 FDS6984AS Datenblatt Seite 3 FDS6984AS Datenblatt Seite 4 FDS6984AS Datenblatt Seite 5 FDS6984AS Datenblatt Seite 6 FDS6984AS Datenblatt Seite 7 FDS6984AS Datenblatt Seite 8 FDS6984AS Datenblatt Seite 9 FDS6984AS Datenblatt Seite 10 FDS6984AS Datenblatt Seite 11

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FDS6984AS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®, SyncFET™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.5A, 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds420pF @ 15V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 0.9V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Leistung - max

120mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 30V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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