Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7923DN-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7923DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI7923DN-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7923DN-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7923DN-T1-GE3, SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 540,02 KB)
PDFSI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI7923DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI7923DN-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI7923DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3
  • SI7923DN-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI7923DN-T1-GE3 Stock

  • SI7923DN-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI7923DN-T1-GE3
  • SI7923DN-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI7923DN-T1-GE3 Price
  • SI7923DN-T1-GE3 Distributor

SI7923DN-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Leistung - max

820mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

SP8K2TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

BSG0810NDIATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A, 39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 12V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TISON-8

FDW2501NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1286pF @ 10V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

EMH2314-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 6V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

Kürzlich verkauft

IXFK90N20

IXFK90N20

IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

MX25L25645GMI-10G

MX25L25645GMI-10G

Macronix

IC FLASH 256MBIT

NC7SZ00P5X

NC7SZ00P5X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5

PIC18F1220-I/SO

PIC18F1220-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 18SOIC

MCP23017-E/SO

MCP23017-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SOIC

L7805CD2T-TR

L7805CD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A D2PAK

FMMT625TA

FMMT625TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3

BC846B

BC846B

ON Semiconductor

TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

ADM3202ARUZ-REEL

ADM3202ARUZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP