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EMH2314-TL-H

EMH2314-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer EMH2314-TL-H
PNEDA Teilenummer EMH2314-TL-H
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $3,1588
250 ---------- $3,0107
500 ---------- $2,8626
1.000 ---------- $2,7146
2.500 ---------- $2,5912
5.000 ---------- $2,4678
Auf Lager 24.437
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EMH2314-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEMH2314-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EMH2314-TL-H, EMH2314-TL-H Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 1.078,55 KB)
PDFEMH2314-TL-H Datenblatt Cover
EMH2314-TL-H Datenblatt Seite 2 EMH2314-TL-H Datenblatt Seite 3 EMH2314-TL-H Datenblatt Seite 4 EMH2314-TL-H Datenblatt Seite 5

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EMH2314-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 6V
Leistung - max1.2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket8-EMH

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 15V

Leistung - max

1.81W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V, 12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.3pF @ 3V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

PS-8 (2.9x2.4)

HP8S36TB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A, 80A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 15V

Leistung - max

29W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-HSOP

AON6912A

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A, 13.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V

Leistung - max

1.9W, 2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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