SP8K2TB
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| Teilenummer | SP8K2TB |
| PNEDA Teilenummer | SP8K2TB |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 650.148 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SP8K2TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SP8K2TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SP8K2TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.1nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PG-TISON-8 |
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