SI7911DN-T1-E3
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| Teilenummer | SI7911DN-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI7911DN-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.600 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI7911DN-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI7911DN-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SI7911DN-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.44nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |
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