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SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7904BDN-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI7904BDN-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI7904BDN-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7904BDN-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7904BDN-T1-E3, SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 551,33 KB)
PDFSI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Cover
SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI7904BDN-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI7904BDN-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 10V
Leistung - max17.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

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ON Semiconductor

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2367pF @ 15V

Leistung - max

3.9W

Betriebstemperatur

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SI3552DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Leistung - max

1.5W

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