IRF7506TR
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| Teilenummer | IRF7506TR | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRF7506TR | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 5.032 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IRF7506TR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7506TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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IRF7506TR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | Micro8™ |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) Lieferantengerätepaket SuperSOT™-8 |
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