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SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI3552DV-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI3552DV-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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SI3552DV-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI3552DV-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI3552DV-T1-GE3, SI3552DV-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 203,93 KB)
PDFSI3552DV-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI3552DV-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.15W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

EFC2J011NUZTDG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRF6802SDTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 13V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SA

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SA

DMC3035LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

384pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

NTJD4401NT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 20V

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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