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SI6983DQ-T1-GE3

SI6983DQ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6983DQ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI6983DQ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.870
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SI6983DQ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6983DQ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6983DQ-T1-GE3, SI6983DQ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 99,09 KB)
PDFSI6983DQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI6983DQ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max830mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

FDS4885C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 20V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI4204DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2110pF @ 10V

Leistung - max

3.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 10V

Leistung - max

750mW

Betriebstemperatur

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