Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4388DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4388DY-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI4388DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4388DY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4388DY-T1-E3, SI4388DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 138,32 KB)
PDFSI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI4388DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI4388DY-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI4388DY-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4388DY-T1-E3
  • SI4388DY-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI4388DY-T1-E3 Stock

  • SI4388DY-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI4388DY-T1-E3
  • SI4388DY-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4388DY-T1-E3 Price
  • SI4388DY-T1-E3 Distributor

SI4388DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10.7A, 11.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds946pF @ 15V
Leistung - max3.3W, 3.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

EM6K7T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

APTC80AM75SCG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

56A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

364nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9015pF @ 25V

Leistung - max

568W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

IRF7910TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 6V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM20DHM08G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

208A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

781W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FMM22-06PF

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Leistung - max

130W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Kürzlich verkauft

NOIP2SE1300A-QDI

NOIP2SE1300A-QDI

ON Semiconductor

IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

MCP6002-E/SN

MCP6002-E/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

FMMT618TA

FMMT618TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3

SMBJ5.0CA-13-F

SMBJ5.0CA-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

IHLP2525CZERR47M01

IHLP2525CZERR47M01

Vishay Dale

FIXED IND 470NH 17.5A 4.2 MOHM

MCP41010T-I/SN

MCP41010T-I/SN

Microchip Technology

IC DGTL POT 10KOHM 256TAP 8SOIC

W25Q64JVSFIQ

W25Q64JVSFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

MAX14757EUE+

MAX14757EUE+

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP

AEDS-8011-A11

AEDS-8011-A11

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

SP3232EEN-L/TR

SP3232EEN-L/TR

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

SMLP34RGB2W3

SMLP34RGB2W3

Rohm Semiconductor

LED RGB DIFFUSED PICOLED SMD