Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4966DY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4966DY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 21 - Jun 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI4966DY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4966DY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4966DY-T1-GE3, SI4966DY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 174,61 KB)
PDFSI4966DY-T1-E3 Datenblatt Cover
SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI4966DY-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI4966DY-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4966DY-T1-GE3
  • SI4966DY-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI4966DY-T1-GE3 Stock

  • SI4966DY-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI4966DY-T1-GE3
  • SI4966DY-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4966DY-T1-GE3 Price
  • SI4966DY-T1-GE3 Distributor

SI4966DY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TSM9933DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SC-88FL/MCPH6

SH8M5TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SI7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 10V

Leistung - max

19.8W, 21.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

ALD310708ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 P-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

780mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Kürzlich verkauft

PIC12F1840-I/SN

PIC12F1840-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 7KB FLASH 8SOIC

BCV62C,215

BCV62C,215

Nexperia

TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B

UFT14020

UFT14020

GeneSiC Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 70A TO249AB

1SMB28AT3G

1SMB28AT3G

Littelfuse

TVS DIODE 28V 45.4V SMB

LTC1326IS8-2.5#PBF

LTC1326IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PREC TRPL SUPPLY MONITR 8SOIC

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

82400102

82400102

Wurth Electronics

TVS DIODE 5V 7.7V SOT23-6L

DALC208SC6

DALC208SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOT23-6

CY2304SXI-1

CY2304SXI-1

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 4OUT 133MHZ 8SOIC

ADP125ARHZ-R7

ADP125ARHZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8MSOP

ADP7158ACPZ-3.3-R7

ADP7158ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 2A 10LFCSP

BZT52C8V2S-7-F

BZT52C8V2S-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323