Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4966DY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4966DY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI4966DY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4966DY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4966DY-T1-GE3, SI4966DY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 174,61 KB)
PDFSI4966DY-T1-E3 Datenblatt Cover
SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI4966DY-T1-E3 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI4966DY-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI4966DY-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4966DY-T1-GE3
  • SI4966DY-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI4966DY-T1-GE3 Stock

  • SI4966DY-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI4966DY-T1-GE3
  • SI4966DY-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4966DY-T1-GE3 Price
  • SI4966DY-T1-GE3 Distributor

SI4966DY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SH8M5TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

TSM9933DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SC-88FL/MCPH6

SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SI7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 10V

Leistung - max

19.8W, 21.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

Kürzlich verkauft

20IMX35D12D12-8G

20IMX35D12D12-8G

Bel Power Solutions

DC DC CONVERTER 12V 12V 12V 35W

MC7808CDTG

MC7808CDTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 8V 1A DPAK

PIC32MX795F512L-80I/PT

PIC32MX795F512L-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

MF-USMF050-2

MF-USMF050-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

ACPL-M21L-500E

ACPL-M21L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

DLW5BTN101SQ2L

DLW5BTN101SQ2L

Murata

CMC 6A 2LN 100 OHM SMD

CDBA540-HF

CDBA540-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AC

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

MAX8556ETE+

MAX8556ETE+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN