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ALD310708ASCL

ALD310708ASCL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD310708ASCL
PNEDA Teilenummer ALD310708ASCL
Beschreibung MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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ALD310708ASCL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD310708ASCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD310708ASCL, ALD310708ASCL Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 506,31 KB)
PDFALD310708APCL Datenblatt Cover
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  • ALD310708ASCL Distributor

ALD310708ASCL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ4 P-Channel, Matched Pair
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id780mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 13V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

APTM10HM05FG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

278A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

700nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V

Leistung - max

780W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 25V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

SI5903DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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