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SI4565ADY-T1-GE3

SI4565ADY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4565ADY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4565ADY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SI4565ADY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4565ADY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4565ADY-T1-GE3, SI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 145,51 KB)
PDFSI4565ADY-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI4565ADY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A, 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds625pF @ 20V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs (th) (Max) @ Id

220mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 25V

Leistung - max

62.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 20mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

322nC @ 20V

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Leistung - max

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