BSD235NH6327XTSA1
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| Teilenummer | BSD235NH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSD235NH6327XTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 283.926 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSD235NH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSD235NH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSD235NH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 950mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
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