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DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN5L06VKQ-7
PNEDA Teilenummer DMN5L06VKQ-7
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $13,1638
100 ---------- $12,5467
250 ---------- $11,9297
500 ---------- $11,3126
750 ---------- $10,7984
1.000 ---------- $10,2842
Auf Lager 161.437
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN5L06VKQ-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN5L06VKQ-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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DMN5L06VKQ-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W, 1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 25V

Leistung - max

65W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Leistung - max

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Leistung - max

6.5W

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