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SI6983DQ-T1-E3

SI6983DQ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6983DQ-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI6983DQ-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 3.436
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SI6983DQ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6983DQ-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6983DQ-T1-E3, SI6983DQ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 99,09 KB)
PDFSI6983DQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI6983DQ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max830mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Leistung - max

840mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-23-6

SLA5073

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

15-ZIP

SQJQ906E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 20V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 8 x 8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 8 x 8 Dual

SI5908DC-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

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