IRF9952PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF9952PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF9952PBF |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRF9952PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRF9952PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRF9952PBF Datasheet
- where to find IRF9952PBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF9952PBF
- IRF9952PBF PDF Datasheet
- IRF9952PBF Stock
- IRF9952PBF Pinout
- Datasheet IRF9952PBF
- IRF9952PBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF9952PBF Price
- IRF9952PBF Distributor
IRF9952PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.5A, 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta), 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 337A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 180A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1224nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 1000V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17.5A, 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket Power56 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A, 8.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1233pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
