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ALD310700APCL

ALD310700APCL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD310700APCL
PNEDA Teilenummer ALD310700APCL
Beschreibung MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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ALD310700APCL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD310700APCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD310700APCL, ALD310700APCL Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 506,67 KB)
PDFALD310700ASCL Datenblatt Cover
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  • ALD310700APCL Distributor

ALD310700APCL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
SerieEPAD®, Zero Threshold™
FET-Typ4 P-Channel, Matched Pair
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id20mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-PDIP

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.63A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Leistung - max

1.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

59A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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ALD110800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

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6.3A

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30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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