SI6463BDQ-T1-E3
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Teilenummer | SI6463BDQ-T1-E3 |
PNEDA Teilenummer | SI6463BDQ-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.914 |
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SI6463BDQ-T1-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI6463BDQ-T1-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SI6463BDQ-T1-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.05W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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