EPC2202
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| Teilenummer | EPC2202 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2202 |
| Beschreibung | GANFET N-CH 80V 18A DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 373.800 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2202 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2202 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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EPC2202 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +5.75V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die Outline (6-Solder Bar) |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 460mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 63pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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