APT5510JFLL
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT5510JFLL |
| PNEDA Teilenummer | APT5510JFLL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.588 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT5510JFLL Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT5510JFLL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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APT5510JFLL Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 44A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5823pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 463W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Sawn on foil Paket / Fall Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 99A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8205pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-Dual Cool™88 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
