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SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4916DY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4916DY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SI4916DY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4916DY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4916DY-T1-GE3, SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 191,1 KB)
PDFSI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI4916DY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max3.3W, 3.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Leistung - max

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

148A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

544nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 1000V

Leistung - max

937W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

SSM6N44FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.5pF @ 3V

Leistung - max

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

CMKDM8005 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

650mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 16V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 127A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

Leistung - max

3.2W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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