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SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4916DY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4916DY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.922
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SI4916DY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4916DY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4916DY-T1-GE3, SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 191,1 KB)
PDFSI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI4916DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI4916DY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max3.3W, 3.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

148A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

544nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 1000V

Leistung - max

937W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

19MT050XF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFET®

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7210pF @ 25V

Leistung - max

1140W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

16-MTP Module

Lieferantengerätepaket

16-MTP

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

NVMFD5C446NWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 127A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 25V

Leistung - max

3.2W (Ta), 89W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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