APTSM120AM25CT3AG
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| Teilenummer | APTSM120AM25CT3AG |
| PNEDA Teilenummer | APTSM120AM25CT3AG |
| Beschreibung | POWER MODULE - SIC |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTSM120AM25CT3AG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTSM120AM25CT3AG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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APTSM120AM25CT3AG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 148A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 544nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| Leistung - max | 937W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A (Ta), 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 15V, 409pF @ 15V Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V Leistung - max 820mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1438pF @ 15V Leistung - max 1.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
