SGB15N60ATMA1
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| Teilenummer | SGB15N60ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SGB15N60ATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 31A 139W TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SGB15N60ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGB15N60ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGB15N60ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 31A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 62A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 139W |
| Schaltenergie | 570µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 76nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/234ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 21Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max 50W Schaltenergie 131µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/237ns Testbedingung 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
