NGTB50N60FL2WG
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| Teilenummer | NGTB50N60FL2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB50N60FL2WG |
| Beschreibung | IGBT 600V 50A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.222 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB50N60FL2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB50N60FL2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB50N60FL2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 460µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 220nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/237ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 94ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A Leistung - max 378W Schaltenergie 1.79mJ (on), 670µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 198nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/134ns Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 116A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A Leistung - max 455W Schaltenergie 3.13mJ (on), 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/145ns Testbedingung 400V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 61W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
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