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IXGH30N60C3D1

IXGH30N60C3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH30N60C3D1
PNEDA Teilenummer IXGH30N60C3D1
Beschreibung IGBT 600V 60A 220W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH30N60C3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH30N60C3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH30N60C3D1, IXGH30N60C3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 217,3 KB)
PDFIXGH30N60C3D1 Datenblatt Cover
IXGH30N60C3D1 Datenblatt Seite 2 IXGH30N60C3D1 Datenblatt Seite 3 IXGH30N60C3D1 Datenblatt Seite 4 IXGH30N60C3D1 Datenblatt Seite 5 IXGH30N60C3D1 Datenblatt Seite 6 IXGH30N60C3D1 Datenblatt Seite 7

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IXGH30N60C3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 20A
Leistung - max220W
Schaltenergie270µJ (on), 90µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge38nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/42ns
Testbedingung300V, 20A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/73ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRGPS4067DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/190ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

APT15GT120BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

585µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/85ns

Testbedingung

800V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGH40N60SMDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

119nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/92ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGP19NC60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

135µJ (on), 815µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17.5ns/175ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Kürzlich verkauft

MAX16025TE+

MAX16025TE+

Maxim Integrated

IC SUPERVISORY CIRC DL 16TQFN

74VHC125TTR

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STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP

SMBJ7.0CA-E3/52

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TVS DIODE 7V 12V DO214AA

FT230XS-U

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FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB SERIAL BASIC UART 16SSOP

BAS70LT1G

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3

AD9528BCPZ

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Analog Devices

IC CLOCK GEN 1.25GHZ VCO 72LFCSP

RB751V40T1G

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

STM32F103C8T6

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STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

MC14094BDR2G

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ON Semiconductor

IC SHIFT REGSTR 8BIT CMOS 16SOIC

ADUM1400BRW

ADUM1400BRW

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

1N4148WT

1N4148WT

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F