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IXGP16N60B2

IXGP16N60B2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP16N60B2
PNEDA Teilenummer IXGP16N60B2
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGP16N60B2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP16N60B2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP16N60B2, IXGP16N60B2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 220,16 KB)
PDFIXGP16N60B2 Datenblatt Cover
IXGP16N60B2 Datenblatt Seite 2 IXGP16N60B2 Datenblatt Seite 3 IXGP16N60B2 Datenblatt Seite 4 IXGP16N60B2 Datenblatt Seite 5 IXGP16N60B2 Datenblatt Seite 6

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IXGP16N60B2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 12A
Leistung - max150W
Schaltenergie160µJ (on), 120µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/73ns
Testbedingung400V, 12A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

395V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

37.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

28.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/15µs

Testbedingung

300V, 10A, 25Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

IRGPC30FD2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

4.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

270µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/42ns

Testbedingung

300V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

160µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/93ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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