RGTV60TS65GC11
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| Teilenummer | RGTV60TS65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTV60TS65GC11 |
| Beschreibung | 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGTV60TS65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTV60TS65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTV60TS65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 194W |
| Schaltenergie | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 33ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie 170µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/156ns Testbedingung 400V, 10A, 32Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 104W Schaltenergie 380µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
