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IXGP12N120A3

IXGP12N120A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP12N120A3
PNEDA Teilenummer IXGP12N120A3
Beschreibung IGBT 1200V 22A 100W TO220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.104
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGP12N120A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP12N120A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP12N120A3, IXGP12N120A3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 201,89 KB)
PDFIXGH12N120A3 Datenblatt Cover
IXGH12N120A3 Datenblatt Seite 2 IXGH12N120A3 Datenblatt Seite 3 IXGH12N120A3 Datenblatt Seite 4 IXGH12N120A3 Datenblatt Seite 5

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IXGP12N120A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge20.4nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

82µJ (on), 155µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22.5ns/116ns

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DPAK

APT85GR120B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Leistung - max

962W

Schaltenergie

6mJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

660nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/300ns

Testbedingung

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™

IRGP4063D1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

192A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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IRGS10B60KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Leistung - max

156W

Schaltenergie

140µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/230ns

Testbedingung

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

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Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

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Paket / Fall

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