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RGTH40TS65DGC11

RGTH40TS65DGC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGTH40TS65DGC11
PNEDA Teilenummer RGTH40TS65DGC11
Beschreibung IGBT 650V 40A 144W TO-247N
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 5.004
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RGTH40TS65DGC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGTH40TS65DGC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGTH40TS65DGC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A
Leistung - max144W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge40nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/73ns
Testbedingung400V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)58ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 42A

Leistung - max

240W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

72ns/445ns

Testbedingung

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-4, Isolated

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IXBT42N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGP4263D1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

192A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 48A

Leistung - max

325W

Schaltenergie

2.9mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/140ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/80ns

Testbedingung

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

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Paket / Fall

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