Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

QS8M51TR

QS8M51TR

Nur als Referenz

Teilenummer QS8M51TR
PNEDA Teilenummer QS8M51TR
Beschreibung MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 26.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

QS8M51TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQS8M51TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
QS8M51TR, QS8M51TR Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 3.965,02 KB)
PDFQS8M51TR Datenblatt Cover
QS8M51TR Datenblatt Seite 2 QS8M51TR Datenblatt Seite 3 QS8M51TR Datenblatt Seite 4 QS8M51TR Datenblatt Seite 5 QS8M51TR Datenblatt Seite 6 QS8M51TR Datenblatt Seite 7 QS8M51TR Datenblatt Seite 8 QS8M51TR Datenblatt Seite 9 QS8M51TR Datenblatt Seite 10 QS8M51TR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • QS8M51TR Datasheet
  • where to find QS8M51TR
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor QS8M51TR
  • QS8M51TR PDF Datasheet
  • QS8M51TR Stock

  • QS8M51TR Pinout
  • Datasheet QS8M51TR
  • QS8M51TR Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • QS8M51TR Price
  • QS8M51TR Distributor

QS8M51TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs325mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketTSMT8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7304

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Leistung - max

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SC-88FL/MCPH6

SI4834BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NTMD2P01R2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

16V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V

Leistung - max

710mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

AD7795BRUZ

AD7795BRUZ

Analog Devices

IC ADC 16BIT SIGMA-DELTA 24TSSOP

VC060318A400RP

VC060318A400RP

VARISTOR 25.5V 30A 0603

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

PIC18F6520-I/PT

PIC18F6520-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 64TQFP

IHLP2020BZER1R0M01

IHLP2020BZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 7A 20 MOHM SMD

MIC2544A-1YMM

MIC2544A-1YMM

Microchip Technology

IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8MSOP

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

MTFC4GACAJCN-4M IT

MTFC4GACAJCN-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 32G MMC 153VFBGA