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BUK7K35-60EX

BUK7K35-60EX

Nur als Referenz

Teilenummer BUK7K35-60EX
PNEDA Teilenummer BUK7K35-60EX
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 4.518
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BUK7K35-60EX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBUK7K35-60EX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BUK7K35-60EX, BUK7K35-60EX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 740,84 KB)
PDFBUK7K35-60EX Datenblatt Cover
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BUK7K35-60EX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds794pF @ 25V
Leistung - max38W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1205, 8-LFPAK56
LieferantengerätepaketLFPAK56D

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Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

800mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V, 250pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

UF6

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Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Leistung - max

4.8W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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15-SIP

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 25V

Leistung - max

3.1W

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