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PMBTA42DS,125

PMBTA42DS,125

Nur als Referenz

Teilenummer PMBTA42DS,125
PNEDA Teilenummer PMBTA42DS-125
Beschreibung TRANS 2NPN 300V 0.1A 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMBTA42DS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMBTA42DS,125
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
PMBTA42DS, PMBTA42DS Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 191,42 KB)
PDFPMBTA42DS Datenblatt Cover
PMBTA42DS Datenblatt Seite 2 PMBTA42DS Datenblatt Seite 3 PMBTA42DS Datenblatt Seite 4 PMBTA42DS Datenblatt Seite 5 PMBTA42DS Datenblatt Seite 6 PMBTA42DS Datenblatt Seite 7 PMBTA42DS Datenblatt Seite 8 PMBTA42DS Datenblatt Seite 9 PMBTA42DS Datenblatt Seite 10 PMBTA42DS Datenblatt Seite 11

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PMBTA42DS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 10V
Leistung - max420mW
Frequenz - Übergang50MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V, 60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

VT6T1T2R

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

350MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

VMT6

EMZ1DXV6T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

180MHz, 140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/355

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

3-SMD

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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