VT6T1T2R
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| Teilenummer | VT6T1T2R |
| PNEDA Teilenummer | VT6T1T2R |
| Beschreibung | PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 95.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VT6T1T2R Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VT6T1T2R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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VT6T1T2R Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Leistung - max | 150mW |
| Frequenz - Übergang | 350MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | VMT6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V, 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 150MHz, 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
