NX1029X,115
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| Teilenummer | NX1029X,115 |
| PNEDA Teilenummer | NX1029X-115 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 293.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NX1029X Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NX1029X,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NX1029X Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 330mA, 170mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 25V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-666 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 20V Leistung - max 75W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ 4 N-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 13V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 41-PowerVFQFN Lieferantengerätepaket 41-PQFN (6x8) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 208A Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Leistung - max 781W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V Leistung - max 1.29W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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