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APTM20AM08FTG

APTM20AM08FTG

Nur als Referenz

Teilenummer APTM20AM08FTG
PNEDA Teilenummer APTM20AM08FTG
Beschreibung MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.460
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTM20AM08FTG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTM20AM08FTG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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APTM20AM08FTG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.208A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs280nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14400pF @ 25V
Leistung - max781W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP4
LieferantengerätepaketSP4

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V

Leistung - max

4.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5.2x5.55)

SIA922EDJ-T4-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.9W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SI1912EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 100µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

570mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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8-SOIC

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