FDS9953A
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| Teilenummer | FDS9953A |
| PNEDA Teilenummer | FDS9953A |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FDS9953A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDS9953A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDS9953A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 185pF @ 15V |
| Leistung - max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V Leistung - max 190W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-240AA Lieferantengerätepaket TO-240AA |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 54.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1986pF @ 50V Leistung - max 2.2W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A, 31A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (5x6) |
