IRF3546MTRPBF
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| Teilenummer | IRF3546MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF3546MTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF3546MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF3546MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF3546MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Tc), 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 13V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 41-PowerVFQFN |
| Lieferantengerätepaket | 41-PQFN (6x8) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.1A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 419pF @ 10V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8-FL |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerUDFN Lieferantengerätepaket HUML2020L8 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A, 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
