Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSZ15DC02KDHXTMA1
PNEDA Teilenummer BSZ15DC02KDHXTMA1
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSZ15DC02KDHXTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSZ15DC02KDHXTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSZ15DC02KDHXTMA1, BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 378,09 KB)
PDFBSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Cover
BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 2 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 3 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 4 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 5 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 6 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 7 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 8 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 9 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 10 BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet
  • where to find BSZ15DC02KDHXTMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSZ15DC02KDHXTMA1
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 PDF Datasheet
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 Stock

  • BSZ15DC02KDHXTMA1 Pinout
  • Datasheet BSZ15DC02KDHXTMA1
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 Price
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 Distributor

BSZ15DC02KDHXTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds419pF @ 10V
Leistung - max2.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPG-TSDSON-8-FL

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ALD1108EPCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.01V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 5V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

CAS300M17BM2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V (1.7kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

325A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1076nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 1000V

Leistung - max

1760W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DMN2990UDJQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 16V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-963

Lieferantengerätepaket

SOT-963

SSM6N56FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6

NVMFD5C650NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Kürzlich verkauft

MMSZ4683T1G

MMSZ4683T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3V 500MW SOD123

FP1107R1-R51-R

FP1107R1-R51-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 510NH 55A 0.29 MOHM

HX0068ANL

HX0068ANL

Pulse Electronics Network

MODULE 1:1 100D SIN SMD

CDRH127/LDNP-220MC

CDRH127/LDNP-220MC

Sumida

FIXED IND 22UH 4.7A 36.4 MOHM

ADSP-BF514BBCZ4F16

ADSP-BF514BBCZ4F16

Analog Devices

IC DSP 16/32B 400MHZ 168CSBGA

DMF3Z5R5H474M3DTA0

DMF3Z5R5H474M3DTA0

Murata

CAP SUPER 470MF 5.5V 3-SMD

CS42426-CQZ

CS42426-CQZ

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC 6CH PLL 192KHZ 64LQFP

SI8540-B-FWR

SI8540-B-FWR

Silicon Labs

IC CURR SENSE 1 CIRCUIT SOT23-5

AT24C256C-SSHL-T

AT24C256C-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

P6KE150A

P6KE150A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 128V 207V DO15

HCPL-0201-500E

HCPL-0201-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8SO

AD8033ARZ

AD8033ARZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC