BSZ15DC02KDHXTMA1
Nur als Referenz
Teilenummer | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
PNEDA Teilenummer | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.304 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
BSZ15DC02KDHXTMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
BSZ15DC02KDHXTMA1, BSZ15DC02KDHXTMA1 Datenblatt
(Total Pages: 13, Größe: 378,09 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- BSZ15DC02KDHXTMA1 Datasheet
- where to find BSZ15DC02KDHXTMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BSZ15DC02KDHXTMA1
- BSZ15DC02KDHXTMA1 PDF Datasheet
- BSZ15DC02KDHXTMA1 Stock
- BSZ15DC02KDHXTMA1 Pinout
- Datasheet BSZ15DC02KDHXTMA1
- BSZ15DC02KDHXTMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BSZ15DC02KDHXTMA1 Price
- BSZ15DC02KDHXTMA1 Distributor
BSZ15DC02KDHXTMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.1A, 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
Leistung - max | 2.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8-FL |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2546pF @ 25V Leistung - max 3.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 10V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A, 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-PowerUDFN Lieferantengerätepaket HUML2020L8 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 72A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 518nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V Leistung - max 416W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 4-EFCP (1.01x1.01) |