NVMFD5C462NLT1G
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| Teilenummer | NVMFD5C462NLT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5C462NLT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 34.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 12 - Mär 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5C462NLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5C462NLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NVMFD5C462NLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Ta), 84A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Leistung - max | 3W (Ta), 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 395pF @ 15V, 730pF @ 15V Leistung - max 19W (Tc), 30W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Lieferantengerätepaket TO-252-4L |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Leistung - max 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
