ECH8651R-TL-H
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| Teilenummer | ECH8651R-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | ECH8651R-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.448 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ECH8651R-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ECH8651R-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ECH8651R-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 8-ECH |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 3V Leistung - max 280mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket SOT-353 |
