CSD87350Q5D
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| Teilenummer | CSD87350Q5D |
| PNEDA Teilenummer | CSD87350Q5D |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.172 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87350Q5D Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87350Q5D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87350Q5D Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 20A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 15V |
| Leistung - max | 12W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-LSON (5x6) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.2mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 765pF @ 15V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
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